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【中国科学报】大尺寸单晶石墨烯制备获突破
 
2012-03-02 | 文章来源:中国科学报        【 】【打印】【关闭

  本报讯(记者周峰)2月28日,《自然—通讯》杂志在线发表了中科院金属所沈阳材料科学国家(联合)实验室成会明、任文才团队在石墨烯制备方面取得的一项新突破,他们通过金属外延生长方法,制备出了具有非常优异场发射效应的毫米级单晶石墨烯及其薄膜。

  石墨烯优异的电、光、强度等众多优异性质使其在电子学、自旋电子学、光电子学、太阳能电池、传感器等领域有着重要的潜在应用,但大规模高质量制备技术是制约其进入实际应用的瓶颈之一。

  目前制备高质量石墨烯的方法,有胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法和化学气相沉积法(CVD),前两种方法效率低,不适于大量制备。而迄今由CVD法制备的石墨烯,一般是由纳米级到微米级尺寸的石墨烯晶畴拼接而成的多晶材料。

  对于以金属基体生长的石墨烯,通常以腐蚀金属基体的方法来进行转移,不仅存在金属残存、转移过程破坏石墨烯结构的问题,而且污染环境、成本高、不适合贵金属基体。

  成会明等采用贵金属铂生长基体,以低浓度甲烷和高浓度氢气通过常压CVD法,成功制备出了毫米级六边形单晶石墨烯及其构成的石墨烯薄膜。通过该研究组发明的电化学气体插层鼓泡法,可将铂上生长的石墨烯薄膜无损转移到任意基体上。

  该方法操作简便、速度快、无污染,并且适于钌、铱等贵金属以及铜、镍等常用金属上生长的石墨烯的转移,金属基体可重复使用,可作为一种低成本、快速转移高质量石墨烯的普适方法。

  该方法转移的单晶石墨烯具有很高的质量,将其转移到Si/SiO2基体上制成场效应晶体管,测量显示该单晶石墨烯室温下的载流子迁移率可达7100 cm2 V-1 s-1。

  金属基体上大尺寸单晶石墨烯及其薄膜的多次重复生长,为石墨烯基本物性的研究及其在高性能纳电子器件、透明导电薄膜等领域的实际应用奠定了材料基础。

  文章来源:《中国科学报》 (2012-03-01 A1 要闻)

 
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