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12.8】刘琦 研究员
题目:阻变存储器及其在类脑计算中的应用
 
2017-12-04 | 文章来源:先进炭材料研究部        【 】【打印】【关闭

  题目:阻变存储器及其在类脑计算中的应用

  报告人:刘琦 研究员(中国科学院微电子研究所)

  时间:12月8日(周五)10:00-11:30

  地点:师昌绪楼403会议室

阻变存储器及其在类脑计算中的应用

  阻变存储器具有单元尺寸小、速度快、功耗低、器件结构简单、易于三维集成等优点受到学术界和产业界的广泛关注,有望在数据存储,非易失逻辑和类脑计算等领域得到应用。然而,作为新型存储技术,RRAM在面向产业化的过程中仍然存在许多挑战需要克服。这个报告将介绍我们在阻变存储器的物理机制、性能调控、集成技术以及类脑计算四方面开展的研究工作。

  个人简介

  刘琦:中国科学院微电子研究所,研究员,优青。长期从事新型非易失存储技术及应用的研究工作,在阻变存储器(RRAM)的性能优化、集成、微观机制的表征和建模上开展了系统的研究工作,主持国家重点研发计划项目和自然基金委重点、优青、面上等项目。在Nat. Commun.、Adv. Mater.、Nano Lett.、ACS Nano、Adv. Funct. Mater., EDLAPL等期刊发表SCI论文90多篇,SCI他引2800多次,H因子27,拥有33项授权中国发明专利和3项美国发明专利。

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