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【04.14】题目:化合物半导体材料与器件
 
2026-04-13 | 文章来源:能源信息材料与器件研究部        【 】【打印】【关闭

题目:化合物半导体材料与器件

报告人:邓震 中国科学院物理研究所 研究员/课题组长 博导

时间:4月14日(周二)14:00

地点:师昌绪楼403室


报告摘要:

半导体芯片技术作为信息产业发展的基石,已经深深地渗透到经济社会的各个领域,并在推动产业变革和技术进步中发挥着至关重要的作用。本报告介绍中国科学院物理所化合物半导体材料与器件研究团队的基本情况、研究方向。最后,本报告重点分享研究团队在化合物半导体光电探测器件和微型光谱仪方面的一些研究成果。

报告人简介:

邓震,中国科学院物理研究所研究员,博士生导师,入选中国科学院物理所引进海外杰出人才项目和中国科学院青促会会员。邓震一直从事化合物半导体材料与器件的研究工作,目前主要研究方向:1)III-V族光电材料生长与器件研究;2)III-Nitrides的外延生长及其器件研究;3)其他新型光电器件的研究。邓震博士主持了国家自然科学基金、中国科学院重点部署项目课题、多项部委项目、企业委托横向项目,骨干参与国家重点研发项目课题等,在Photonics Research、APL Photonics、Optics Letters、Optics Express等期刊发表论文70余篇,其中第一及通讯作者(含共同通讯)文章30余篇。

    联系方式:    Tel:86-10-82649296    Email: zhen.deng@iphy.ac.cn


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